BSS138K-7

Diodes Incorporated

BSS138K-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 50V SOT23 T&R 3K

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5Ohm @ 220mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds23.2 pF @ 25 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C310mA (Ta)
Max. Verlustleistung380mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)