BS107PSTZ

Diodes Incorporated

BS107PSTZ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE

AktivE-Line-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs30Ohm @ 100mA, 5V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds85 pF @ 25 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.6V, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120mA (Ta)
Max. Verlustleistung500mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Hersteller-GehäuseE-Line (TO-92 compatible)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101