BS107P

Diodes Incorporated

BS107P

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3

AktivTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs30Ohm @ 100mA, 5V
Basis-TeilenummerBS107
FET TypeN-Channel
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.6V, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120mA (Ta)
Max. Verlustleistung500mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Hersteller-GehäuseTO-92

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)