Allgemein
| Basis-Teilenummer | 2DB1182 |
|---|---|
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 200mA, 2A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 3V |
| Power - Max | 10 W |
| Frequency - Transition | 110MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-252-3 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|