1N4448HLP-7

Diodes Incorporated

1N4448HLP-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN

Aktiv0402 (1006 Metric)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-Teilenummer1N4448
Capacitance @ Vr, F3pF @ 0.5V, 1MHz
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)4 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 100 mA
Current - Average Rectified (Io)125mA
Current - Reverse Leakage @ Vr100 nA @ 80 V
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case0402 (1006 Metric)
Hersteller-GehäuseX1-DFN1006-2

Umwelt

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C