CYD18S18V18-167BBAXC

Cypress Semiconductor Corp

CYD18S18V18-167BBAXC

Speicher & Storage

IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA

Aktiv256-LBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Dual Port, Asynchronous, Standard
Zugriffszeit4 ns
Basis-TeilenummerCYD18S18
HerstellerCypress Semiconductor Corp
MontageartSurface Mount
Product StatusActive

Elektrisch

Speichergröße18Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz167 MHz
Versorgungsspannung1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Memory Organization1M x 18

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case256-LBGA
Hersteller-Gehäuse256-FBGA (17x17)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~70°C(TA)