CYD01S18V-133BBI

Cypress Semiconductor Corp

CYD01S18V-133BBI

Speicher & Storage

IC SRAM 1MBIT PARALLEL 256FBGA

Aktiv256-LBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Dual Port, Standard
Zugriffszeit4.7 ns
HerstellerCypress Semiconductor Corp
MontageartSurface Mount
Product StatusActive

Elektrisch

Speichergröße1Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz133 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.9V
Memory Organization64K x 18

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case256-LBGA
Hersteller-Gehäuse256-FBGA (17x17)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~85°C(TA)