CY7C1412KV18-250BZXC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1412KV18-250BZXC

Datenblatt

Speicher & Storage

QDR SRAM, 2MX18, 0.45NS PBGA165

Aktiv165-LBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Synchronous, QDR II
Basis-TeilenummerCY7C1412
HerstellerCypress Semiconductor Corp
MontageartSurface Mount
Product StatusActive

Elektrisch

Speichergröße36Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz250 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.9V
Memory Organization2M x 18

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case165-LBGA
Hersteller-Gehäuse165-FBGA (13x15)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)