Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SRAM - Synchronous, SDR |
| Zugriffszeit | 3 ns |
| Basis-Teilenummer | CY7C1370 |
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Product Status | Active |
| Serie | NoBL™ |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 18Mbit |
|---|---|
| Speicherformat | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Taktfrequenz | 200 MHz |
| Versorgungsspannung | 2.375V ~ 2.625V |
| Memory Organization | 512K x 36 |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
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Umwelt
| Betriebstemperatur | 0°C~70°C(TA) |
|---|