Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SRAM - Synchronous, SDR |
| Zugriffszeit | 3.2 ns |
| Basis-Teilenummer | CY7C1354 |
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Serie | NoBL™ |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 9Mbit |
|---|---|
| Speicherformat | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Taktfrequenz | 200 MHz |
| Versorgungsspannung | 3.135V ~ 3.6V |
| Memory Organization | 256K x 36 |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 100-LQFP |
| Hersteller-Gehäuse | 100-TQFP (14x20) |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -40°C~85°C(TA) |
|---|