CY7C1312BV18-200BZI

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1312BV18-200BZI

Speicher & Storage

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

Obsolet165-LBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Synchronous, QDR II
Basis-TeilenummerCY7C1312
HerstellerCypress Semiconductor Corp
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete

Elektrisch

Speichergröße18Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz200 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.9V
Memory Organization1M x 18

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case165-LBGA
Hersteller-Gehäuse165-FBGA (13x15)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)