CY7C1021D-10VXIT

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1021D-10VXIT

Datenblatt

Speicher & Storage

SRAM - ASYNCHRONOUS MEMORY IC 1M

Aktiv44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Asynchronous
Zugriffszeit10 ns
Basis-TeilenummerCY7C1021
HerstellerCypress Semiconductor Corp
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit10ns

Elektrisch

Speichergröße1Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung4.5V ~ 5.5V
Memory Organization64K x 16

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Hersteller-Gehäuse44-SOJ

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)