CY14B108N-BA25XI

Cypress Semiconductor Corp

CY14B108N-BA25XI

Speicher & Storage

CY14B108N - NON-VOLATILE SRAM, 5

Aktiv48-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Zugriffszeit25 ns
Basis-TeilenummerCY14B108
HerstellerCypress Semiconductor Corp
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit25ns

Elektrisch

Speichergröße8Mbit
SpeicherformatNVSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung2.7V ~ 3.6V
Memory Organization512K x 16

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case48-TFBGA
Hersteller-Gehäuse48-FBGA (6x10)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)