CY14B101Q2-LHXI

Cypress Semiconductor Corp

CY14B101Q2-LHXI

Datenblatt

Speicher & Storage

1-MBIT (128K 8) SERIAL SPI NVSR

Abgekündigt8-WDFN Exposed PadSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Basis-TeilenummerCY14B101
HerstellerCypress Semiconductor Corp
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs

Elektrisch

Speichergröße1Mbit
SpeicherformatNVSRAM
Memory InterfaceSPI
Taktfrequenz40 MHz
Versorgungsspannung2.7V ~ 3.6V
Memory Organization128K x 8

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-DFN (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)