CY10E484-4DC

Cypress Semiconductor Corp

CY10E484-4DC

Speicher & Storage

IC SRAM 16KBIT PARALLEL 28CDIP

Aktiv28-CDIP (0.400", 10.16mm)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Asynchronous
Zugriffszeit4 ns
Basis-TeilenummerCY10E484
HerstellerCypress Semiconductor Corp
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Schreibzykluszeit4ns

Elektrisch

Speichergröße16Kbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung4.94V ~ 5.46V
Memory Organization4K x 4

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case28-CDIP (0.400", 10.16mm)
Hersteller-Gehäuse28-CDIP

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~75°C(TA)