Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Zugriffszeit | 7 ns |
| Basis-Teilenummer | CY10E422 |
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Schreibzykluszeit | 7ns |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 1Kbit |
|---|---|
| Speicherformat | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Versorgungsspannung | 4.94V ~ 5.46V |
| Memory Organization | 256 x 4 |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 24-CFlatpack |
| Hersteller-Gehäuse | 24-CFlatpack |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 0°C~70°C(TA) |
|---|