Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Zugriffszeit | 7 ns |
| Basis-Teilenummer | CY10E422 |
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Montageart | Surface Mount |
| Verpackung | Bulk |
| Teilestatus | Aktiv |
| Schreibzykluszeit | 7ns |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 1Kbit |
|---|---|
| Speicherformat | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Versorgungsspannung | 4.94V ~ 5.46V |
| Memory Organization | 256 x 4 |
Mechanisch
| Package / Case | 28-LCC (J-Lead) |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | 28-PLCC (11.53x11.53) |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
|---|