Cypress Semiconductor Corp

CY10E422-7DC

Speicher & Storage

IC SRAM 1KBIT PARALLEL 24SBDIP

Aktiv24-CDIP (0.400", 10.16mm)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Speichertyp	Volatile
Technologie	SRAM - Asynchronous
Zugriffszeit	7 ns
Basis-Teilenummer	CY10E422
Hersteller	Cypress Semiconductor Corp
Montageart	Through Hole
Product Status	Active
Schreibzykluszeit	7ns

Elektrisch

Speichergröße	1Kbit
Speicherformat	SRAM
Memory Interface	Parallel
Versorgungsspannung	4.94V ~ 5.46V
Memory Organization	256 x 4

Mechanisch

Gehäuse	Bulk
Package / Case	24-CDIP (0.400", 10.16mm)
Hersteller-Gehäuse	24-SBDIP

Umwelt

Betriebstemperatur	0°C~70°C(TA)