CMS80N03H8-HF

Comchip Technology

CMS80N03H8-HF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 80A DFN5X6

Obsolet8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 20A, 10V
Basis-TeilenummerCMS80
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1160 pF @ 25 V
HerstellerComchip Technology
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Max. Verlustleistung2W (Ta), 53W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäuseDFN5x6 (PR-PAK)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)