CMS32P03V8-HF

Comchip Technology

CMS32P03V8-HF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 30V 7.7A/32A 8DFN

Obsolet8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 15A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1345 pF @ 15 V
HerstellerComchip Technology
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.7A (Ta), 32A (Tc)
Max. Verlustleistung1.6W (Ta), 29W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)