CMS100N04H8-HF

Comchip Technology

CMS100N04H8-HF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 100A DFN5X6

Obsolet8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8mOhm @ 25A, 10V
Basis-TeilenummerCMS100
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4940 pF @ 25 V
HerstellerComchip Technology
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR)
TeilestatusObsolet
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
Max. Verlustleistung2W (Ta), 135W (Tc)

Mechanisch

Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäuseDFN5x6 (PR-PAK)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)