CMS100N03H8-HF

Comchip Technology

CMS100N03H8-HF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 100A DFN5X6

Obsolet8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8mOhm @ 30A, 10V
Basis-TeilenummerCMS100
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4222 pF @ 15 V
HerstellerComchip Technology
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
Max. Verlustleistung3.6W (Ta), 83W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäuseDFN5x6 (PR-PAK)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)