CMS07P10V8-HF

Comchip Technology

CMS07P10V8-HF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 100V 2.2A/7A PR-PAK

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs260mOhm @ 4A, 10V
Basis-TeilenummerCMS07
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds680 pF @ 15 V
HerstellerComchip Technology
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.2A (Ta), 7A (Tc)
Max. Verlustleistung2.5W (Ta), 25W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePR-PAK (3x3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)