CDBJSC51200-G

Comchip Technology

CDBJSC51200-G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-2

ObsoletTO-220-2Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerCDBJSC51200
Capacitance @ Vr, F475pF @ 0V, 1MHz
HerstellerComchip Technology
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
TechnologieSiC (Silicon Carbide) Schottky

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 5 A
Current - Average Rectified (Io)5A
Current - Reverse Leakage @ Vr100 µA @ 1200 V
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-2
Hersteller-GehäuseTO-220-2

Umwelt

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C