CDBGBSC101200-G

Comchip Technology

CDBGBSC101200-G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE ARR SIC SCHOT 1200V TO247

ObsoletTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerCDBGBSC101200
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
HerstellerComchip Technology
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
TechnologieSiC (Silicon Carbide) Schottky

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 5 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)18A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr100 µA @ 1200 V
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247

Umwelt

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C