CDBDSC51200-G

Comchip Technology

CDBDSC51200-G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 18A DPAK

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerCDBDSC51200
Capacitance @ Vr, F475pF @ 0V, 1MHz
HerstellerComchip Technology
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
TechnologieSiC (Silicon Carbide) Schottky

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 5 A
Current - Average Rectified (Io)18A
Current - Reverse Leakage @ Vr100 µA @ 1200 V
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseDPAK

Umwelt

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C