ACMSN2312T-HF

Comchip Technology

ACMSN2312T-HF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs31mOhm @ 5A, 4.5V
Basis-TeilenummerACMSN2312
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds500 pF @ 8 V
HerstellerComchip Technology
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.9A (Ta)
Max. Verlustleistung750mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)