Allgemein
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 3A, 4V |
| Power - Max | 80 W |
| Frequency - Transition | 3MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-218-3 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-218 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
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