Allgemein
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 8mA, 2A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 1A, 4V |
| Frequency - Transition | 25MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-220-3 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
|---|