Allgemein
| Resistance - RDS(On) | 125 Ohms |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5.5pF @ 10V (VGS) |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30 V |
|---|---|
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 3 V @ 10 nA |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 7 mA @ 15 V |
| Power - Max | 350 mW |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Hersteller-Gehäuse | TO-92-3 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
|---|