CXDM3069N TR PBFREE

Central Semiconductor Corp

CXDM3069N TR PBFREE

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89

ObsoletTO-243AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 7A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds580 pF @ 15 V
HerstellerCentral Semiconductor Corp
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.9A (Ta)
Max. Verlustleistung1.2W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-243AA
Hersteller-GehäuseSOT-89

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)