CTLDM304P-M832DS TR

Central Semiconductor Corp

CTLDM304P-M832DS TR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS

Obsolet8-TDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 4.2A, 10V
Basis-TeilenummerCTLDM304P
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds760pF @ 15V
HerstellerCentral Semiconductor Corp
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.2A
Power - Max1.65W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-TDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseTLM832DS

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)