CTLDM303N-M832DS TR

Central Semiconductor Corp

CTLDM303N-M832DS TR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS

Obsolet8-TDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 1.8A, 4.5V
Basis-TeilenummerCTLDM303N
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds590pF @ 10V
HerstellerCentral Semiconductor Corp
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.6A
Power - Max1.65W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-TDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseTLM832DS

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)