CP802-CWDM3011P-CM

Central Semiconductor Corp

CP802-CWDM3011P-CM

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 30V 11A DIE

AktivDieAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 1A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3100 pF @ 8 V
HerstellerCentral Semiconductor Corp
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta)

Mechanisch

GehäuseTray
Package / CaseDie
Hersteller-GehäuseDie

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)