CP771-CXDM4060P-CT

Central Semiconductor Corp

CP771-CXDM4060P-CT

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 40V 6A DIE

ObsoletDieAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 6A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds750 pF @ 25 V
HerstellerCentral Semiconductor Corp
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta)

Mechanisch

GehäuseTray
Package / CaseDie
Hersteller-GehäuseDie

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)