Allgemein
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 1A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Drain-Source-Spannung | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.93A (Ta) |
| Max. Verlustleistung | 1.15W (Ta) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tray |
|---|---|
| Package / Case | Die |
| Hersteller-Gehäuse | Die |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C~150°C(TJ) |
|---|