CMRDM3575 TR PBFREE

Central Semiconductor Corp

CMRDM3575 TR PBFREE

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 20V 0.16A SOT963

AktivSOT-963Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 100mA, 4.5V
Basis-TeilenummerCMRDM3575
KonfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.46nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9pF @ 15V
HerstellerCentral Semiconductor Corp
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C160mA, 140mA
Power - Max125mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-963
Hersteller-GehäuseSOT-963

Umwelt

Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)