CMPDM303NH TR

Central Semiconductor Corp

CMPDM303NH TR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23F

ObsoletSOT-23-3 Flat LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 1.8A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds590 pF @ 10 V
HerstellerCentral Semiconductor Corp
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.6A (Ta)
Max. Verlustleistung350mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-3 Flat Leads
Hersteller-GehäuseSOT-23F

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)