CMPDM202PH TR

Central Semiconductor Corp

CMPDM202PH TR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT-23F

ObsoletSOT-23-3 Flat LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs88mOhm @ 1.2A, 5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds800 pF @ 10 V
HerstellerCentral Semiconductor Corp
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.3A (Ta)
Max. Verlustleistung350mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-3 Flat Leads
Hersteller-GehäuseSOT-23F

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)