CEDM7002AE TR PBFREE

Central Semiconductor Corp

CEDM7002AE TR PBFREE

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT883L

AktivSC-101, SOT-883Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50 pF @ 25 V
HerstellerCentral Semiconductor Corp
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300mA (Ta)
Max. Verlustleistung100mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-101, SOT-883
Hersteller-GehäuseSOT-883L

Umwelt

Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)