Allgemein
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Verpackung | Bulk |
| Teilestatus | Obsolet |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 200mA, 2A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 1V |
| Power - Max | 5 W |
| Frequency - Transition | 200MHz |
Mechanisch
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | TO-39 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
|---|