Allgemein
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 4mA, 1A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 500mA, 10V |
| Power - Max | 800 mW |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Hersteller-Gehäuse | TO-39 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
|---|