Allgemein
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.4V @ 200µA, 200mA |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 300 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 7000 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 625 mW |
| Frequency - Transition | 60MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Hersteller-Gehäuse | TO-92-3 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
|---|