2N5116

Central Semiconductor Corp

2N5116

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

JFET P-CH 30V TO18

AktivTO-206AA, TO-18-3 Metal CanAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Resistance - RDS(On)150 Ohms
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds25pF @ 15V
HerstellerCentral Semiconductor Corp
MontageartThrough Hole
Product StatusActive

Elektrisch

Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)30 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id1 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)5 mA @ 15 V
Power - Max500 mW

Mechanisch

GehäuseBox
Package / CaseTO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Hersteller-GehäuseTO-18

Umwelt

Betriebstemperatur-65°C ~ 200°C (TJ)