Allgemein
| Resistance - RDS(On) | 25 Ohms |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10pF @ 10V (VGS) |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Drain-Source-Spannung | 30 V |
|---|---|
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 10 V @ 500 pA |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 50 mA @ 15 V |
| Power - Max | 360 mW |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Hersteller-Gehäuse | TO-18 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
|---|