Allgemein
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Verpackung | Bulk |
| Teilestatus | Obsolet |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 700µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 500mA, 1V |
| Power - Max | 6 W |
| Frequency - Transition | 300MHz |
Mechanisch
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | TO-39 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
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