Allgemein
| FET Type | P-Channel |
|---|---|
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 32pF @ 10V |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Drain-Source-Spannung | 20 V |
|---|---|
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 20 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 8 V @ 10 µA |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 300 mA @ 10 V |
| Power - Max | 360 mW |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Hersteller-Gehäuse | TO-92 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
|---|