Allgemein
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 750mV @ 125mA, 1A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 1A, 10V |
| Power - Max | 35 W |
| Frequency - Transition | 10MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-213AA, TO-66-2 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-66 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
|---|