Allgemein
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 100µA, 1mA |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10µA, 5V |
| Power - Max | 360 mW |
| Frequency - Transition | 60MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Hersteller-Gehäuse | TO-18 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
|---|