3LN01SS-TL-E

Catalyst Semiconductor Inc

3LN01SS-TL-E

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL SILICON MOSFET

AktivSC-81Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.7Ohm @ 80mA, 4V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7000 pF @ 10 V
HerstellerCatalyst Semiconductor Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C150mA (Ta)
Max. Verlustleistung150mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseSC-81
Hersteller-GehäuseSC-81 (SSFP)

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)